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當(dāng)前位置:檢測儀器 >> 無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng)
                

產(chǎn)品介紹

     PV-1000系列無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng)為太陽能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(總厚度變化)TTV、翹曲及無接觸電阻率測量功能。并提供基于TCP/IP的數(shù)據(jù)傳輸接口及基于Windows的控制軟件,用以進行在線及離線數(shù)據(jù)管理功能。

 

無接觸硅片綜合測試系統(tǒng)-產(chǎn)品特點

使用MTI Instruments獨有的推/拉電容探針技術(shù)
每套系統(tǒng)提供最多三個測量通道
可進行最大、最小、平均厚度測量和TTV測量
可進行翹曲度測量(需要3探頭)
用激光傳感器進行線鋸方向和深度監(jiān)視(可選)
集成數(shù)據(jù)采集和電氣控制系統(tǒng)
可增加的直線厚度掃描數(shù)量
與現(xiàn)有的硅片處理設(shè)備有數(shù)字I/O接口
基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數(shù)據(jù)監(jiān)控
提供標(biāo)準(zhǔn)及客戶定制的探頭
提供基于Windows的動態(tài)鏈接庫用于與控制電腦集成
用渦電流法測量硅片電阻率


無接觸硅片綜合測試系統(tǒng)-技術(shù)指標(biāo)

 晶圓硅片測試尺寸:50mm- 300mm.

厚度測試范圍:1.7mm,可擴展到2.5mm.

厚度測試精度:+/-0.25um

厚度重復(fù)性精度:0.050um

測量點直徑:8mm

 TTV 測試精度:  +/-0.05um
 TTV重復(fù)性精度: 0.050um

  彎曲度測試范圍: +/-500um [+/-850um]

彎曲度測試精度: +/-2.0um

彎曲度重復(fù)性精度: 0.750um

電阻率測量范圍:5-2000ohm/sq(0.1-40ohm-cm)
電阻率測量精度:2%

電阻率測量重復(fù)精度:1%

晶圓硅片類型:單晶或多晶硅

材料:Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料

可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測等

平面/缺口:所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口

硅片安裝:裸片,藍寶石/石英基底,黏膠帶

連續(xù)5點測量

應(yīng)用范圍

> 切片

>>線鋸設(shè)置

    >>>厚度

      >>>總厚度變化TTV

     >>監(jiān)測

>>>導(dǎo)線槽

>>>刀片更換

>磨片/刻蝕和拋光

>> 過程監(jiān)控

>> 厚度

>>總厚度變化TTV

>> 材料去除率

>> 彎曲度

>> 翹曲度

>> 平整度

> 研磨

>> 材料去除率

> 最終檢測

>> 抽檢或全檢

>>  終檢厚度

 

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