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當(dāng)前位置:LED上游行業(yè) >> 外延片 >> 結(jié)晶質(zhì)量
               III氮化物外延片中存在大量的穿透位錯(cuò),使外延層膜呈現(xiàn)鑲嵌結(jié)構(gòu),晶粒為平行于生長(zhǎng)方向的柱狀,其高度約等于膜厚,寬度約1μm。對(duì)于這種鑲嵌,X射線衍射搖擺曲線的加寬主要來(lái)源于晶體中的缺陷,其他因素造成的加寬不會(huì)超過(guò)實(shí)際測(cè)量值的10%。因此,對(duì)于III族氮化物外延片的結(jié)晶質(zhì)量,目前最好的測(cè)量方法是高分辨率X射線衍射方法,包括雙晶搖擺曲線或者三軸晶衍射ω掃描。根據(jù)晶體質(zhì)量與搖擺曲線半高寬的相關(guān)性,通過(guò)分析搖擺曲線,可以得到結(jié)晶質(zhì)量的信息:晶體的完整性越高,半高寬越小,反之則越大。           
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