硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)片(以下簡(jiǎn)稱(chēng)標(biāo)準(zhǔn)樣片)是用高純多晶硅,經(jīng)過(guò)單晶設(shè)備,再經(jīng)中子嬗變摻雜等多種工藝制造的,具有一定幾何尺寸的實(shí)物標(biāo)準(zhǔn).由不確定度已知的標(biāo)準(zhǔn)裝置,對(duì)該實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的電阻率及其他指標(biāo)給予標(biāo)定,使用時(shí)以標(biāo)準(zhǔn)樣片為準(zhǔn),對(duì)相關(guān)參數(shù)進(jìn)行量值傳遞。
合格指標(biāo) 樣片級(jí)別
項(xiàng)目
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)樣片
一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)樣片
二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)樣片
直 徑
（40 —75）±1% mm
（40 —75）±1% mm
（25 —100）±2% mm
厚 度
W≤1.0mm
W≤1.0mm
W≤1.0mm
標(biāo)稱(chēng)值偏差
0.01Ω.cm —500Ω.cm
±5%
±10%
±15%
中心點(diǎn)電阻率重復(fù)率（2σ）
0.3%
0.4%
0.8%
徑向電阻率不均勻度
≤3%
≤4%
≤8%
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合格指標(biāo) 樣片級(jí)別
項(xiàng) 目 |
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)樣片 |
一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)樣片 |
二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)樣片 |
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年穩(wěn)定度 |
（40 —75）±1% mm |
（40 —75）±1% mm |
（25 —100）±2% mm |
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擴(kuò)展不確定度(包含因子 k=2) |
±1.0% |
±1.5% |
±2.5% |
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備注：電阻率大于500Ω.cm和電阻率為0.005Ω.cm的電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片標(biāo)稱(chēng)值偏差為±15%，中心電阻率重復(fù)性為0.8%（2σ）,擴(kuò)展不確定度為2.0%,二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)樣片，中心電阻率重復(fù)性為1.0%(2σ）,擴(kuò)展不確定度為3.0% |
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