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太陽能電池為防止為表面的反射，在硅片表面制備折射率介于半導體和空氣折射率之間的透明薄膜層。這個薄膜層稱為減反射膜.
設半導體、減反射膜、空氣的折射率分別為n2、n1、n0，減反射膜厚度為d1，則反射率R為
r2=(n1 - n2)/(n1 + n2)
r1=(n0 - n1)/(n0 + n1)
θ=2πn1d1/λ
λ－波長
顯然，減反射膜的厚度d1為1/4波長時，R為最小。即
時
(λ＝λ'） (2.43)
一般在太陽光譜的峰值波長處，使得R變?yōu)樽钚?，以此來決定d1的值。
以硅電池為例，因為在可見光至紅外光范圍內(nèi)，硅的折射率為n2 = 3.4~4.0，使式（2.43）為零，則n1的值（ ， n0＝1）為1.8￡ n1￡2.0。設l'=4800埃，則600埃￡d1￡667埃，滿足這些條件的材料一般可采用氮化硅.
目前的膜厚的行業(yè)指標一般在70-90nm,折射率要求在1.9-2.1.
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